英特爾失iPhone晶片訂單？台積電地位更穩固

近來市場盛傳英特爾可能重新爭取到蘋果的部分晶片訂單，包括入門級 M 系列處理器，甚至是未來的非 Pro 版 iPhone 晶片，這引發了產業的高度關注。然而，隨著更多產業內部觀點浮現，對於「英特爾先進製程是否能實際用於 iPhone 晶片」的答案正逐漸趨於明朗。綜合多方業界說法，雖然雙方確實存在接觸與評估，但至少在可預見的未來，英特爾幾乎不可能成為 iPhone 晶片的先進製程代工夥伴。

根據蘋果公司的內部評估，其 2027 年推出的低階 M 系列晶片以及 2028 年的非 Pro 版 iPhone 晶片有可能評估採用英特爾的 18A-P 製程。這一點由 GF Securities 和 DigiTimes 等產業分析機構多次提及。此外，蘋果公司已與英特爾簽署保密協議，並取得 18A-P 製程的 PDK 樣本進行內部評估。由於 18A-P 是英特爾首批支援 Foveros Direct 3D 混合鍵合的節點，理論上能透過 TSV 堆疊多個小晶片，一度讓市場對雙方合作產生更多想像空間。

然而，這些進展並未改變產業內部對「iPhone 晶片採用英特爾先進製程」的根本疑慮。SemiWiki 論壇上的多名產業內部人士指出，核心原因指向英特爾在 18A 與 14A 節點上全面採用背面供電（Backside Power Delivery, BSPD）的技術策略。相比之下，台積電則提供具備與不具備背面供電的不同選項，形成更完整且具有彈性的產品線；而英特爾選擇在最尖端節點全面押注 BSPD，缺乏替代方案。

這類差異使得製程本身在不同應用情境下的適配性出現顯著落差。例如，行動晶片的效益有限，但卻會放大「自我加熱效應」（Self-Heating Effect, SHE）。業內人士指出，採用 BSPD 的晶片往往需要額外的散熱設計才能維持與傳統設計相同的熱點溫度，甚至必須讓散熱器的工作溫度比正常情況低約 20°C，才能勉強抵消熱累積效應。對於依靠空冷、且機殼溫度有嚴格限制的 iPhone 來說，這樣的條件幾乎難以實現。

在失去較厚矽基板後，晶片的水平散熱能力下降，而垂直散熱效果又不理想，使得整體熱管理更加困難。因此，多數產業內部人士直言，英特爾在短期內為蘋果 iPhone 代工先進製程晶片的機率幾乎可視為「零」。即便英特爾製程在邏輯密度與封裝技術上具備話題性，仍難以跨越行動裝置對功耗與散熱的現實門檻。

不過，相較之下，對散熱條件較為寬鬆的 M 系列處理器，仍被視為可能存在合作空間的領域。然而，至少在 iPhone 晶片這條最關鍵的產品線上，英特爾的機會正快速被技術現實所壓縮。