英特爾難打入蘋果iPhone晶片供應鏈！-analysis

近來市場傳言英特爾可能重新爭取到蘋果部分晶片訂單，範圍涵蓋入門級 M 系列處理器，及未來非 Pro 版本的 iPhone 晶片。這消息讓半導體產業高度關注。然而，隨著更多內部聲音的出現，關於「英特爾先進製程是否能實際用於 iPhone 晶片」的討論逐漸趨向否認。

業界說法指出，雖然蘋果與英特爾之間確實存在接觸和評估，但至少在可預見的未來，英特爾幾乎不可能成為 iPhone 晶片的先進製程代工夥伴。先前市場曾傳出，蘋果可能在 2027 年推出的低階 M 系列晶片，以及 2028 年的非 Pro 版 iPhone 晶片中，評估採用英特爾 18A-P 製程。部分券商與產業媒體也曾指出，蘋果未來推出的專屬 ASIC，可能搭配英特爾的 EMIB 封裝技術。據悉，雙方已簽署保密協議，蘋果也取得 18A-P 製程的 PDK 樣本進行內部測試。

不過，這些進展對產業內部而言，並未排除對 iPhone 晶片採用英特爾先進製程的根本疑慮。SemiWiki 論壇有多名半導體產業人士指出，英特爾在 18A 與未來 14A 節點上全面採用背面供電（Backside Power Delivery, BSPD）設計，是最大的變數。相較之下，台積電在先進製程中同時提供具備與不具備背面供電的不同選項，讓客戶能依產品需求選擇最合適的方案；英特爾則押注 BSPD，在尖端節點上缺乏替代設計彈性。

背面供電理論上確實具有優勢，能縮短供電路徑、降低電壓降，並釋放正面佈線空間，有助於提升高頻運作穩定性和邏輯密度。然而，產業人士直言，這些優勢對行動晶片的實際效益有限，反而會放大「自我加熱效應」（Self-Heating Effect, SHE），增加散熱難度。業內分析指出，採用 BSPD 的晶片，往往需要額外的散熱設計，才能維持與傳統架構相同的熱點溫度；甚至必須讓散熱系統的工作溫度比一般情況低約 20°C，才能抵消熱累積效應。對於高度仰賴空冷、而且機殼溫度受限嚴格的 iPhone 而言，幾乎難以實現。

基於上述技術現實，多數產業內部人士直言，英特爾在短期內為蘋果 iPhone 代工先進製程晶片的機率，幾乎可視為零。不過，相較於 iPhone，對散熱條件較為寬鬆的 M 系列處理器，仍被認為存在理論上的合作空間。但至少在 iPhone 這條最關鍵的產品線上，英特爾仍不能與台積電一搏。