英特爾失Apple晶片大單？散熱成最大阻力

近來市場流傳英特爾有可能重新獲得蘋果的部分晶片訂單，包括入門級 M 系列處理器以及未來的非 Pro 版 iPhone 晶片。這消息引發業界高度關注，不過隨著更多內部觀點流出，雙方在先進製程合作的可能性逐漸明朗化。

根據多方業界說法，雖然蘋果和英特爾確實進行了接觸與評估，但至少在可預見的未來，英特爾幾乎不可能成為 iPhone 晶片的先進製程代工夥伴。關鍵障礙並不在製程節點的命名，而是散熱問題和技術路線的選擇。

先前市場傳出，在 2027 年推出的低階 M 系列晶片及 2028 年的非 Pro 版 iPhone 晶片中，蘋果可能評估採用英特爾的 18A-P 製程。 GF Securities 以及 DigiTimes 等業界報告也指出，蘋果預計於 2028 年推出的 ASIC 可能會採用英特爾的 EMIB 封裝技術。此外，也有消息顯示，蘋果已與英特爾簽署保密協議，並取得 18A-P 製程的 PDK 樣本進行內部評估。

雖然 18A-P 是英特爾首批支援 Foveros Direct 3D 混合鍵合的節點，理論上能透過 TSV 堆疊多個小晶片，但這些進展未能改變業界對「iPhone 晶片採用英特爾先進製程」的疑慮。

SemiWiki 論壇上的產業內部人士指出，核心問題在於 18A 與 14A 節點上全面採用背面供電（Backside Power Delivery, BSPD）技術。相較之下，台積電則同時提供具備和不具備背面供電的選項，形成更具彈性的產品線；而英特爾選擇在最尖端節點全面押注 BSPD，缺乏替代方案。

這使得製程本身在不同應用情境下的適配性出現顯著落差。例如，背面供電在理論上確實能提升晶片運作的穩定性和提高電晶體密度，但對行動晶片來說，這些性能上的優勢十分有限。更令人擔憂的是，採用 BSPD 的晶片需要額外的散熱設計才能維持與傳統設計相同的熱點溫度。這對依賴空冷且機殼溫度有嚴格限制的 iPhone 來説是一大挑戰。

此外，在失去較厚矽基板後，晶片的水平散熱能力下降，而垂直散熱效果又不理想，使得整體熱管理更加困難。因此，英特爾在短期內為蘋果 iPhone 代工先進製程晶片的可能性幾乎可視為「零」。

相較之下，對散熱條件較寬鬆的 M 系列處理器仍被視為可能存在合作空間的領域。不過，在 iPhone 晶片這條最關鍵的產品線上，英特爾的機會正快速被技術現實所壓縮。